РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BUK9C1R3-40EJ

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 136699

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Active 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 190A (Tc) 
Vgs(th) (Max) @ Id 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 90A, 5V 
Operating Temperature 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package D2PAK 
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB 

Описание

MOSFET N-CH 40V D2PAK - N-Channel 40V 190A (Tc) Surface Mount D2PAK

Транзисторы полевые BUK9C1R3-40EJ

Datasheet BUK9C1R3-40EJ (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Цена доступна по запросу
BUK9C1R3-40EJ
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.