РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

BUK9E1R9-40E,127

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 136670

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 
Vgs(th) (Max) @ Id 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package I2PAK 
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 

Описание

MOSFET N-CH 40V I2PAK - N-Channel 40V Through Hole I2PAK

Транзисторы полевые BUK9E1R9-40E,127

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 12 шт.
Цена доступна по запросу
BUK9E1R9-40E,127
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.