| Manufacturer | NXP USA Inc. |
| Series | TrenchMOS™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69.5nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9150pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 234W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 25A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK - N-Channel 40V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK
Транзисторы полевые BUK9E3R2-40E,127
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.