| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 52 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 10 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 300 |
| Управляющее напряжение,В | 5.5 |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO218AB |
| Особенности*: сфера применения | - |
BUP314D, IGBT 1200v52A 300W P-TO218 - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы BUP314D, IGBT 1200v52A 300W P-TO218
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 774.08 р. |
| 5 | 689.12 р. |
| 50 | 608.24 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.