Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.8 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
Структура модуля | 3-фазный мост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
Входная емкость затвора,нФ | 39 |
Мощность привода, кВт | - |
Драйвер управления | внешний |
Защита по току | нет |
Защита от короткого замыкания | нет |
Защита от перегрева | нет |
Защита от пониженного напряжения питания | нет |
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 390 |
Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3.3 |
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 50 |
Напряжение изоляции, В | 2500 |
Температурный диапазон,С | -40...150 |
CM100TJ-24F, 6 IGBT RTC 1200V 100A 4-gen (F-Series) - IGBT модули
IGBT модули CM100TJ-24F, 6 IGBT RTC 1200V 100A 4-gen (F-Series)
Мин. кол-во | Цена |
---|---|
1 | 27 564.80 р. |
4 | 23 977.60 р. |
40 | 20 817.88 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.