Макс.напр.к-э,В | 600 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.4 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
Структура модуля | полумост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
Входная емкость затвора,нФ | 13.2 |
Мощность привода, кВт | - |
Драйвер управления | внешний |
Защита по току | нет |
Защита от короткого замыкания | нет |
Защита от перегрева | нет |
Защита от пониженного напряжения питания | нет |
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 600 |
Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
Напряжение эмиттер-коллектор,В | - |
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 350 |
Напряжение изоляции, В | 2500 |
Температурный диапазон,С | -40...150 |
CM150DU-12H, 2 IGBT 600V 150A 3-gen (U-Series) - IGBT модули
IGBT модули CM150DU-12H, 2 IGBT 600V 150A 3-gen (U-Series)
Мин. кол-во | Цена |
---|---|
1 | 9 270.08 р. |
4 | 8 061.76 р. |
40 | 7 007.99 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.