Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.8 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
Структура модуля | чоппер с диодом |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
Входная емкость затвора,нФ | 78 |
Мощность привода, кВт | - |
Драйвер управления | внешний |
Защита по току | нет |
Защита от короткого замыкания | нет |
Защита от перегрева | нет |
Защита от пониженного напряжения питания | нет |
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 830 |
Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3.2 |
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 80 |
Напряжение изоляции, В | 2500 |
Температурный диапазон,С | -40...150 |
CM200E3U-24F, Brake IGBT RTC 1200V 200A 4-gen (F-Series) - IGBT модули
IGBT модули CM200E3U-24F, Brake IGBT RTC 1200V 200A 4-gen (F-Series)
Мин. кол-во | Цена |
---|---|
1 | 24 921.60 р. |
5 | 21 523.20 р. |
50 | 18 756.71 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.