| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | - |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Максимальная частота модуляции,кГц | - |
| Входная емкость затвора,нФ | - |
| Мощность привода, кВт | - |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от перегрева | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | - |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | - |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | - |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | - |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Температурный диапазон,С | -40...150 |
CM200YE4-12F, 3-level invert 200A 600V - IGBT модули
IGBT модули CM200YE4-12F, 3-level invert 200A 600V
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 20 390.40 р. |
| 4 | 17 652.80 р. |
| 40 | 15 329.99 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.