Макс.напр.к-э,В | 250 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.2 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 350 |
Структура модуля | полумост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
Входная емкость затвора,нФ | 99 |
Мощность привода, кВт | - |
Драйвер управления | внешний |
Защита по току | нет |
Защита от короткого замыкания | нет |
Защита от перегрева | нет |
Защита от пониженного напряжения питания | нет |
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 960 |
Максимальный ток эмиттера, А | 700 |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 4 |
Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1.2 |
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 2400 |
Напряжение изоляции, В | 2500 |
Температурный диапазон,С | -40...150 |
CM350DU-5F, 2 IGBT RTC 250V 350A 4-gen (F-Series) - IGBT модули
IGBT модули CM350DU-5F, 2 IGBT RTC 250V 350A 4-gen (F-Series)
Мин. кол-во | Цена |
---|---|
1 | 29 264.00 р. |
5 | 25 299.20 р. |
50 | 22 054.60 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.