Макс.напр.к-э,В | 600 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | - |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Максимальная частота модуляции,кГц | 1.6 |
Входная емкость затвора,нФ | 160 |
Мощность привода, кВт | - |
Драйвер управления | внешний |
Защита по току | нет |
Защита от короткого замыкания | нет |
Защита от перегрева | нет |
Защита от пониженного напряжения питания | нет |
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1860 |
Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3.1 |
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 600 |
Напряжение изоляции, В | 2500 |
Температурный диапазон,С | -40...150 |
CM600YE2N-12F, 3-level invert 600A 600V - IGBT модули
IGBT модули CM600YE2N-12F, 3-level invert 600A 600V
Мин. кол-во | Цена |
---|---|
1 | 27 187.20 р. |
4 | 23 600.00 р. |
40 | 22 176.98 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.