Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.9 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
Структура модуля | полумост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
Входная емкость затвора,нФ | 11 |
Мощность привода, кВт | - |
Драйвер управления | внешний |
Защита по току | нет |
Защита от короткого замыкания | нет |
Защита от перегрева | нет |
Защита от пониженного напряжения питания | нет |
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 600 |
Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3.2 |
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 350 |
Напряжение изоляции, В | 2500 |
Температурный диапазон,С | -40...150 |
CM75DU-24H, 2 IGBT 1200V 75A 3-gen (U-Series) - IGBT модули
IGBT модули CM75DU-24H, 2 IGBT 1200V 75A 3-gen (U-Series)
Мин. кол-во | Цена |
---|---|
1 | 10 365.12 р. |
5 | 9 005.76 р. |
50 | 7 832.46 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.