| Manufacturer | Texas Instruments |
| Series | NexFET™ |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | -6V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 6V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 4-DSBGA (1x1) |
| Package / Case | 4-UFBGA, DSBGA |
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA - P-Channel 12V 2.2A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Транзисторы полевые CSD23201W10
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.