| Manufacturer | Texas Instruments |
| Series | NexFET™ |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | -6V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 9-DSBGA |
| Package / Case | 9-UFBGA, DSBGA |
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA - P-Channel 20V 4A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 9-DSBGA
Транзисторы полевые CSD25201W15
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.