| Manufacturer | Texas Instruments |
| Series | NexFET™ |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 60A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7 mOhm @ 10A, 4.5V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON - P-Channel 20V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Транзисторы полевые CSD25401Q3
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.