РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

DF120R12W2H3B27BOMA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 75642
5 079.53 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type 
Configuration Three Phase Inverter 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 50A 
Power - Max 180W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A 
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.35nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor Yes 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case Module 
Supplier Device Package Module 

Описание

IGBT MODULE 800V 50A - IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 50A 180W Chassis Mount Module

IGBT модули DF120R12W2H3B27BOMA1

Datasheet DF120R12W2H3B27BOMA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
5 079.53 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.