РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

DF150R12RT4HOSA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 75610
4 778.80 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Configuration Single Chopper 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 150A 
Power - Max 790W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A 
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case Module 
Supplier Device Package Module 

Описание

IGBT MODULE VCES 1200V 150A - IGBT Module Trench Field Stop Single Chopper 1200V 150A 790W Chassis Mount Module

IGBT модули DF150R12RT4HOSA1

Datasheet DF150R12RT4HOSA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
4 778.80 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.