| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | - |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Configuration | 2 Independent |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
| Power - Max | 375W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.3V @ 15V, 30A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
IGBT MODULE VCES 1200V 200A - IGBT Module 2 Independent 1200V 30A 375W Chassis Mount Module
IGBT модули DF200R12W1H3B27BOMA1
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 5 107.91 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.