| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Series | - |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.21A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 67.62pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 470mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 900mA, 4.5V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | X1-DFN1212-3 |
| Package / Case | 3-UDFN |
MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN - N-Channel 20V 1.21A (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Транзисторы полевые DMN2300UFD-7
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.