| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Series | - |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.1A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 555pF @ 5V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7.1A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC - N-Channel 30V 7.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Транзисторы полевые DMN3052LSS-13
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.