РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

DMN4030LK3-13

Производитель: Diodes Incorporated
Арт: 136367

Техническая спецификация

Manufacturer Diodes Incorporated 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Active 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 604pF @ 20V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.14W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 12A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package TO-252-3 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 

Описание

MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK - N-Channel 40V 9.4A (Ta) 2.14W (Ta) Surface Mount TO-252-3

Транзисторы полевые DMN4030LK3-13

Datasheet DMN4030LK3-13 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Цена доступна по запросу
DMN4030LK3-13
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.