| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Series | - |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4414pF @ 15V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | U-DFN2523-6 |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6 - P-Channel 30V 10.4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount U-DFN2523-6
Транзисторы полевые DMP3017SFK-7
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.