РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

EPC2039ENGRT

Производитель: EPC
Арт: 135422

Техническая спецификация

Manufacturer EPC 
Series eGaN® 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Discontinued at Digi-Key 
FET Type N-Channel 
Technology GaNFET (Gallium Nitride) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 2mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 5V 
Vgs (Max) +6V, -4V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 40V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 6A, 5V 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package Die 
Package / Case Die 

Описание

TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE - N-Channel 80V 6.8A (Ta) Surface Mount Die

Транзисторы полевые EPC2039ENGRT

Datasheet EPC2039ENGRT (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Цена доступна по запросу
EPC2039ENGRT
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.