РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FCP7N60_F080

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 130807

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series SuperFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 83W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3.5A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-220-3 
Package / Case TO-220-3 

Описание

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 - N-Channel 600V 7A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3

Транзисторы полевые FCP7N60_F080

Datasheet FCP7N60_F080 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
FCP7N60_F080
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.