РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FDB8453LZ

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 129479

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series PowerTrench® 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16.1A (Ta), 50A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3545pF @ 20V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 66W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 17.6A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package TO-263AB 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 

Описание

MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB - N-Channel 40V 16.1A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount TO-263AB

Транзисторы полевые FDB8453LZ

Datasheet FDB8453LZ (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Цена доступна по запросу
FDB8453LZ
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.