РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FDC2612_F095

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 130266

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series PowerTrench® 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 234pF @ 100V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 725 mOhm @ 1.1A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SuperSOT™-6 
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 

Описание

MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT - N-Channel 200V 1.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Транзисторы полевые FDC2612_F095

Datasheet FDC2612_F095 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 11 шт.
Цена доступна по запросу
FDC2612_F095
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.