РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FDC636P

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 129846

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±8V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 2.8A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SuperSOT™-6 
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 

Описание

MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6 - P-Channel 20V 2.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Транзисторы полевые FDC636P

Datasheet FDC636P (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 10 шт.
Цена доступна по запросу
FDC636P
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.