РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FDC655BN_NBNN007

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 136198

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series PowerTrench® 
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.3A 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 15V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 800mW 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 6.3A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SuperSOT™-6 
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 

Описание

MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 - N-Channel 30V 6.3A 800mW Surface Mount SuperSOT™-6

Транзисторы полевые FDC655BN_NBNN007

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 12 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.