| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Series | UniFET™ |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2.3A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK - N-Channel 200V 4.5A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Транзисторы полевые FDD6N20TF
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.