РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FDD6N20TF

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 128812

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series UniFET™ 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 40W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 2.3A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package D-Pak 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 

Описание

MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK - N-Channel 200V 4.5A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak

Транзисторы полевые FDD6N20TF

Datasheet FDD6N20TF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 5 шт.
Цена доступна по запросу
FDD6N20TF
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.