РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FDD6N50TM

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 134960

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series UniFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Discontinued at Digi-Key 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.6nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 89W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 3A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package D-Pak 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 
Base Part Number FDD6N50 

Описание

MOSFET N-CH 500V 6A DPAK - N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak

Транзисторы полевые FDD6N50TM

Datasheet FDD6N50TM (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Цена доступна по запросу
FDD6N50TM
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.