РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FDMC8878_F126

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 135019

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series PowerTrench® 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 15V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 31W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 9.6A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3) 
Package / Case 8-PowerWDFN 

Описание

MOSFET N-CH 30V PWR33 - N-Channel 30V 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Транзисторы полевые FDMC8878_F126

Datasheet FDMC8878_F126 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 9 шт.
Цена доступна по запросу
FDMC8878_F126
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.