РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FDP085N10A

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 133621

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series PowerTrench® 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 96A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2695pF @ 50V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 188W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 96A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-220-3 
Package / Case TO-220-3 

Описание

MOSFET N-CH 100V TO-220-3 - N-Channel 100V 96A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3

Транзисторы полевые FDP085N10A

Datasheet FDP085N10A (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 12 шт.
Цена доступна по запросу
FDP085N10A
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.