РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FDP8876

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 130296

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series PowerTrench® 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 15V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 70W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7 mOhm @ 40A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-220AB 
Package / Case TO-220-3 

Описание

MOSFET N-CH 30V 70A TO-220 - N-Channel 30V 70A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB

Транзисторы полевые FDP8876

Datasheet FDP8876 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Цена доступна по запросу
FDP8876
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.