РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FDS3670

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 130299

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series PowerTrench® 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.3A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2490pF @ 50V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 6.3A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 8-SO 
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 

Описание

MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC - N-Channel 100V 6.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Транзисторы полевые FDS3670

Datasheet FDS3670 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Цена доступна по запросу
FDS3670
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.