РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FDS5690-NBBM009A

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 134939

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series PowerTrench® 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Discontinued at Digi-Key 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta) 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1107pF @ 30V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 7A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 8-SO 
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 

Описание

MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC - N-Channel 60V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Транзисторы полевые FDS5690-NBBM009A

Datasheet FDS5690-NBBM009A (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 14 шт.
Цена доступна по запросу
FDS5690-NBBM009A
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.