РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FDT55AN06LA0

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 130364

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series PowerTrench® 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.1A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 8.9W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 11A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SOT-223-4 
Package / Case TO-261-4, TO-261AA 

Описание

MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4 - N-Channel 60V 12.1A (Tc) 8.9W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

Транзисторы полевые FDT55AN06LA0

Datasheet FDT55AN06LA0 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Цена доступна по запросу
FDT55AN06LA0
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.