РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FDU6680

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 130306

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series PowerTrench® 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 46A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 15V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 3.3W (Ta), 56W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 12A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package IPAK (TO-251) 
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 

Описание

MOSFET N-CH 30V 12A IPAK - N-Channel 30V 12A (Ta), 46A (Tc) 3.3W (Ta), 56W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)

Транзисторы полевые FDU6680

Datasheet FDU6680 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Цена доступна по запросу
FDU6680
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.