РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FDV302P-NB8V001

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 133972

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Discontinued at Digi-Key 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V 
Vgs (Max) -8V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 200mA, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SOT-23 
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 

Описание

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 - P-Channel 25V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23

Транзисторы полевые FDV302P-NB8V001

Datasheet FDV302P-NB8V001 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Цена доступна по запросу
FDV302P-NB8V001
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.