РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FDV303N_NB9U008

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 130307

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 680mA (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V 
Vgs (Max) 8V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 500mA, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SOT-23 
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 

Описание

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 - N-Channel 25V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23

Транзисторы полевые FDV303N_NB9U008

Datasheet FDV303N_NB9U008 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
FDV303N_NB9U008
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.