РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FF200R12KT4HOSA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 75217
9 433.98 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 320A 
Power - Max 1100W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A 
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case Module 
Supplier Device Package Module 

Описание

IGBT MODULE 1200V 200A - IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 320A 1100W Chassis Mount Module

IGBT модули FF200R12KT4HOSA1

Datasheet FF200R12KT4HOSA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 12 шт.
Мин. кол-воЦена
9 433.98 р. 
10 8 947.03 р. 
100 8 094.90 р. 
FF200R12KT4HOSA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.