РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FF200R17KE3HOSA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 75106
12 449.10 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V 
Current - Collector (Ic) (Max) 310A 
Power - Max 1250W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 200A 
Current - Collector Cutoff (Max) 3mA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 18nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case Module 
Supplier Device Package Module 

Описание

IGBT MODULE 1700V 200A - IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 310A 1250W Chassis Mount Module

IGBT модули FF200R17KE3HOSA1

Datasheet FF200R17KE3HOSA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 34 шт.
Мин. кол-воЦена
12 449.10 р. 
10 11 860.76 р. 
FF200R17KE3HOSA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.