РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FGA120N30DTU

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81747

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V 
Current - Collector (Ic) (Max) 120A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 25A 
Power - Max 290W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 120nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 
Reverse Recovery Time (trr) 21ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3 
Supplier Device Package TO-3P 

Описание

IGBT 300V 120A 290W TO3P - IGBT 300V 120A 290W Through Hole TO-3P

IGBT транзисторы FGA120N30DTU

Datasheet FGA120N30DTU (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 9 шт.
Цена доступна по запросу
FGA120N30DTU
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.