РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FGA25N120ANTDTU-F109

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 79650
314.16 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type NPT and Trench 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 50A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 50A 
Power - Max 312W 
Switching Energy 4.1mJ (on), 960µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 200nC 
Td (on/off) @ 25°C 50ns/190ns 
Test Condition 600V, 25A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 350ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3 
Supplier Device Package TO-3P 
Base Part Number FGA25N120A 

Описание

IGBT 1200V 50A 312W TO3P - IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P

IGBT транзисторы FGA25N120ANTDTU-F109

Datasheet FGA25N120ANTDTU-F109 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 425 шт.
Мин. кол-воЦена
314.16 р. 
10 282.03 р. 
100 231.09 р. 
500 196.72 р. 
1,000 165.91 р. 
FGA25N120ANTDTU-F109
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.