РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FGA25N120FTD

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81957

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 50A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 75A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 25A 
Power - Max 313W 
Switching Energy 340µJ (on), 900µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 160nC 
Td (on/off) @ 25°C 48ns/210ns 
Test Condition 600V, 25A, 15 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 770ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3 
Supplier Device Package TO-3PN 

Описание

IGBT 1200V 50A 313W TO3P - IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 313W Through Hole TO-3PN

IGBT транзисторы FGA25N120FTD

Datasheet FGA25N120FTD (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 12 шт.
Цена доступна по запросу
FGA25N120FTD
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.