| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 238W |
| Switching Energy | 598µJ (on), 167µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 54.7nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 14.4ns/52.8ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 6 Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31.8ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
IGBT 650V 60A 238W TO-3PN - IGBT Trench Field Stop 650V 60A 238W Through Hole TO-3PN
IGBT транзисторы FGA30T65SHD
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 391.68 р. |
| 10 | 351.80 р. |
| 100 | 288.21 р. |
| 500 | 245.34 р. |
| 1,000 | 206.92 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.