РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FGA50N100BNTDTU

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80735
346.18 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type NPT and Trench 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V 
Current - Collector (Ic) (Max) 50A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 100A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A 
Power - Max 156W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 275nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 
Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3 
Supplier Device Package TO-3P 

Описание

IGBT 1000V 50A 156W TO3P - IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P

IGBT транзисторы FGA50N100BNTDTU

Datasheet FGA50N100BNTDTU (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Мин. кол-воЦена
346.18 р. 
FGA50N100BNTDTU
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.