| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 180A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A |
| Power - Max | 306W |
| Switching Energy | 2.46mJ (on), 520µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 84nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 25.6ns/71ns |
| Test Condition | 400V, 60A, 6 Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 110ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
IGBT 650V 120A 306W TO-3PN - IGBT Trench Field Stop 650V 120A 306W Through Hole TO-3PN
IGBT транзисторы FGA6560WDF
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 591.60 р. |
| 10 | 531.42 р. |
| 100 | 435.44 р. |
| 500 | 370.68 р. |
| 1,000 | 312.62 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.