РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FGA70N33BTDTU

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81977

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type Trench 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330V 
Current - Collector Pulsed (Icm) 220A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 70A 
Power - Max 149W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 49nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 
Reverse Recovery Time (trr) 23ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3 
Supplier Device Package TO-3P 

Описание

IGBT 330V 149W TO3P - IGBT Trench 330V 149W Through Hole TO-3P

IGBT транзисторы FGA70N33BTDTU

Datasheet FGA70N33BTDTU (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Цена доступна по запросу
FGA70N33BTDTU
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.