РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FGB7N60UNDF

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 79899
232.56 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 14A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 21A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 7A 
Power - Max 83W 
Switching Energy 99µJ (on), 104µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 18nC 
Td (on/off) @ 25°C 5.9ns/32.3ns 
Test Condition 400V, 7A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 32.3ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 
Supplier Device Package TO-263AB (D²PAK) 

Описание

IGBT 600V 14A 83W D2PAK - IGBT NPT 600V 14A 83W Surface Mount TO-263AB (D²PAK)

IGBT транзисторы FGB7N60UNDF

Datasheet FGB7N60UNDF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 716 шт.
Мин. кол-воЦена
232.56 р. 
10 208.59 р. 
100 167.67 р. 
500 137.76 р. 
1,000 114.14 р. 
FGB7N60UNDF
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.