РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

FGD3N60UNDF

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80297
94.86 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 6A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 9A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 3A 
Power - Max 60W 
Switching Energy 52µJ (on), 30µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 1.6nC 
Td (on/off) @ 25°C 5.5ns/22ns 
Test Condition 400V, 3A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 21ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak) 
Base Part Number FGD3N60 

Описание

IGBT 600V 6A 60W DPAK - IGBT NPT 600V 6A 60W Surface Mount TO-252, (D-Pak)

IGBT транзисторы FGD3N60UNDF

Datasheet FGD3N60UNDF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 79 шт.
Мин. кол-воЦена
94.86 р. 
10 84.66 р. 
100 65.96 р. 
500 54.49 р. 
1,000 43.02 р. 
FGD3N60UNDF
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.